據(jù)IC咖啡報(bào)道,國家存儲(chǔ)器戰(zhàn)略即將落地武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū),項(xiàng)目啟動(dòng)儀式將于28日在東湖存儲(chǔ)器基地舉行。
國家與地方資金共同參與,240億美元巨資打造國家存儲(chǔ)器基地。國家存儲(chǔ)器基地由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國開發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資建設(shè),項(xiàng)目總投資將達(dá)240億美元,產(chǎn)能規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)每月30萬片。
存儲(chǔ)器為半導(dǎo)體支柱產(chǎn)業(yè),戰(zhàn)略地位凸顯。存儲(chǔ)器廣泛用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品,據(jù)ICInsights數(shù)據(jù),2015年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)835億美元,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支柱。未來,智能終端產(chǎn)品種類還將進(jìn)一步增加,無論是產(chǎn)品終端還是產(chǎn)品云端對(duì)存儲(chǔ)器的性能和存儲(chǔ)空間要求都會(huì)提高,存儲(chǔ)器戰(zhàn)略地位凸顯。
重點(diǎn)發(fā)展3DNAND,國產(chǎn)存儲(chǔ)器有望彎道超車。目前主流的2DNANDFlash器件已經(jīng)接近物理極限,提升集成度的成本高,可靠性降低。3DNANDFlash是快速提升集成度的有效技術(shù),各大存儲(chǔ)器廠商正在這一領(lǐng)域布局發(fā)展。武漢新芯憑借前期與閃存大廠Spansion在3DNAND領(lǐng)域的合作,積累了制造經(jīng)驗(yàn)和關(guān)鍵技術(shù)人才,并在2015年取得了重要的進(jìn)展,有望在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。
Foundry建設(shè)牽動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈配套,相關(guān)供應(yīng)鏈將全面受益。在材料供應(yīng)領(lǐng)域,我們認(rèn)為鼎龍股份作為國內(nèi)唯一的CMP耗材供應(yīng)商將受益,其發(fā)行股份購買資產(chǎn)項(xiàng)目已獲得證監(jiān)會(huì)受理,后續(xù)將快速推進(jìn);在封測(cè)領(lǐng)域我們重點(diǎn)推薦華天科技,其與武漢新芯簽有戰(zhàn)略合作協(xié)議,將在集成電路先進(jìn)制造、封裝及測(cè)試方面展開合作。
風(fēng)險(xiǎn)提示:系統(tǒng)性風(fēng)險(xiǎn);項(xiàng)目推進(jìn)不達(dá)預(yù)期.